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材料的热膨胀;2、热膨胀的起因;起因于：;3、影响热膨胀因素;热膨胀与原子结合键有关：;三、材料的导热性;热导率，;非金属和绝缘材料：;b、合金的热导率;声子在传播时受原子排列高度无序的不均匀相的强烈地散射;若棒两端未被夹持：; 3、多相复合材料中各相膨胀系数不同引起的热应力;第四节 材料的光学性质;光（电磁）波 — 横波，两个振动矢量：;入射光束强度，;b、电子能态转变;孤立原子吸收光子的情况：;易于实现;二、金属的光学特性;任意光子 总能找到一个空能级 E、满足跃迁条件：;日光照射下大多金属呈现银灰色;组成原子或离子越大，电子极化愈高、折射率越大;反射率：反射强度与入射强度之比; 高分子聚合物材料;3、高分子的立体构型;不同点：一种使偏振光左旋；另一种使偏振光右旋;;（2）几何异构;双丁烯 1、4 分子：;完全规整困难;4、共聚物的链结构;氟化乙丙烯共聚物 (FEP)：四氟乙烯和六氟丙烯的二元共聚物;共聚对聚合物性能影响显著;一、聚合物的分子结构与分子聚集态结构;（四）聚合物分子大小与形状;分子量的分布;2、高分子的形状; 键:;键特点： 不可旋转;分子的热运动引起高分子链的构象不停变化;B、 双键不能旋转，与双键相邻的单键更易旋转，具有的柔性;如、聚乙炔：;② 取代基的影响;聚偏氯乙烯柔性较好：;取代基本身刚性较大：体积增大、柔性减小;③ 氢键的影响; 高分子压电材料;应用： 电子、电气工业中的电线包皮、印刷电路板、;PVDF 的五种晶型：;晶型;了解甚少、也是一种非中心对称的具有自发极化的铁电性晶型;;（2）PVDF的极化;电晕充电使电荷沉积于样品内，空间电荷的自身电场使样品内的在一定温度下已松动的偶极子沿自身场方向排列，从而实现极化;3、PVDF的基本性能;;4、PVDF的压电和热释电的根源;压电应变常数与热释电常数的比值：;红外报警、火警传感器、入侵探测、人流监测系统的芯片、热敏开关等;（二）偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物;铁电性、热释电性及压电性随两种单体的不同配比而有所变化;居里温度以上的退火是提高机电耦合子数的最有效工艺途径，在退火过程中共聚物的结晶度激烈增加;② 铁电相与顺电相的转变温度（居里温度)可调节;（三）其它高分子压电材料;具有良好应用前景的新型有机电介质功能材料、可作为超声探伤检测器的芯片用材;将一比例的 PVDF 和 PMMA 溶于二甲基氯仿中后成膜;3、聚脲 (Polyurea) ;室温、10Hz下测得参量：;尼龙7：;（四）复合材料;2、锆钛酸铅（PZT）和聚偏氟乙烯（PVDF）复合材料;;复合膜具有PVDF的可弯曲等力学特性、且呈现高介电和压电常数，在驻极体传感器领域成为具有实用价值的新型功能材料; 功能材料;功能电介质在电子工程、机电转换、光学、红外探测等中发挥独特的作用;第二节 介电、铁电、压电、热释电性概述;金属在外电场中达到静电平衡时，其内部场强为零－完全阻断电场;电介质极化几种机制：;明确点：;二、材料铁电性回顾与补充;铁电材料（铁电畴）的重要特征：;（1） 单电畴铁电晶体为什么不容易形成;;相邻电畴极化方向可能相差90℃或180℃;斜方晶系：;典型钛矿型铁电晶体BaTiO3的几种晶相：;T＞1460℃、由立方晶系转为六方非铁电相晶系;三、材料压电性回顾 ;压电性的本质：;必须是无对称中心的离子晶体或含离子团的分子晶体;四、热释电效应及热释电材料;温度变化引起材料自发极化变化.;其性质称为热释电性;铁电晶体：;五、介电性、压电性、热释电性、铁电性的关系;热释电性：;铁电性：;六、晶体电性能与结晶点群的关系;;一、电容器陶瓷;温度补偿电容器陶瓷材料：;2、高介电常数电容器陶瓷;3、高电压电容器陶瓷;二、微波介质陶瓷;制作工艺：;③ 瓷、 瓷;;第四节 铁电陶瓷;低温烧结铁电陶瓷材料：;二、透明铁电陶瓷;;一次电光系数比其他单晶材料还大;PLZT透明铁电陶瓷工艺：;三、驰豫型铁电陶瓷;外电场作用下，B离子很容易迁移，产生很强的极化，使材料具有很大的介电常数;驰豫型铁电陶瓷的电致伸缩远大于一般压电材料;伺服位移制动器、高灵敏度干涉膨胀仪、双稳态光子;各向异性的实际的电介质：;压电（铁电）陶瓷极化前：各向同性、无压电性;2、介电损耗;电学品质因数： — 损耗因子的倒数 ;滤波器、换能器和标准频率器中的压电器件都工作于谐振状态;;等效电路中 时：;② 机电耦合系数 K;;;二、聚合物的成型;及其盐类可阻燃;不同目的的填充剂：黏土等节省聚合物材料；橡胶中的炭;三、聚合物材料的力