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化学机械抛光的争论现状和进展趋势化学机械抛光的争论现状及进展趋势1、化学机械抛光的根本原理及机理2、抛光液3、抛光垫4、化学机械抛光的进展趋势?1 化学机械抛光的根本原理及机理1-1 化学机械抛光的根本原理 化学机械抛光----CMP(Chemical Mechanical Polishing)。 CMP 是化学的和机械的综合作用,在肯定压力及抛光浆料存在下,在抛光液中的腐蚀介质作用下工件外表形成一层软化层，抛光液中的磨粒对工件上的软化层进展磨削， 因而在被研磨的工件外表形成光滑外表。12避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤避免单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。CM
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