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- 2023-10-21 发布于四川
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本发明基于有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移分析方法及系统，方法包括以下步骤：步骤一：建立单层结构有限厚度拓扑绝缘体与两侧媒质构成的模型；步骤二：确定无穷表面带隙与有限表面带隙拓扑绝缘体的电磁特性；步骤三：求取单层结构拓扑绝缘体各界面的反射透射矩阵；步骤四：求取单层结构拓扑绝缘体以及入射和出射媒质中的电场和磁场；步骤五：通过能流法求取Imbert‑Fedorov位移。本发明通过能流法计算有限厚度拓扑绝缘体上的Imbert‑Fedorov位移，能够准确地分析有限厚度拓扑绝缘体上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116907355 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202310851809.4
(22)申请日 2023.07.11
(71)申请人 杭州电子科技大学
地址 3100
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