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一种半导体器件及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法和应用.pdf

    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和应用，半导体器件包括：复合载体，所述复合载体包括衬底和模板层，所述复合载体中包括具有张应力的区域和具有压应力的区域；有源层，用于注入的载流子的复合；第一半导体层，用于向所述有源层注入N型载流子；第二半导体层，用于向所述有源层注入P型载流子；第一电极，用作所述第一半导体层的能量传输，第一电极在所述复合载体上表面的投影落在所述压应力的区域内，或与其重合；第二电极，用作所述第二半导体层的能量传输，第二电极在所述复合载体上表面的投影落在所述张应力的区域内，或与其重合

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116914051 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202310864998.9 H01L 33/00 (2010.01)

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