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场效应晶体管(10)具有：p型沟槽下层(35)，其配置于沟槽(14)的下侧，在从上侧观察半导体基板(12)时沿着沟槽的长边方向延伸；多个p型深层(36)；以及多个n型深层(37)。各p型深层从体层(34)向下侧突出，在从上侧观察半导体基板时沿着与沟槽交叉的第一方向延伸，在与第一方向正交的第二方向上隔开间隔部配置，且与配置于沟槽的下侧的p型沟槽下层相接。各n型深层配置于对应的间隔部内，在位于体层的下侧的沟槽的侧面与栅极绝缘膜相接。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116918072 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202180094906.2 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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