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本发明提供一种硅片表面残胶去除方法，步骤包括：将带有残胶的硅片放在片腔中加热以软化残胶；待软化完成后移出片腔，再在设定时间内去除残胶。本发明一种硅片表面残胶去除方法，通过将带有残胶的硅片放置在具有自动加热的密闭环境中进行加热软化，以达到批量地去除残胶的目的，残胶去除速度快且去除效果好，无胶印残留，尤其是在加热温度为100‑150℃且在取出5min之内去胶效果最好。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116899972 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202210207396.1 B08B 13/00 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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