1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

有源矩阵基板及其制造方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约4.5万字
  • 约 42页
  • 2023-10-21 发布于四川
  • 举报

有源矩阵基板及其制造方法.pdf

    一种有源矩阵基板，具备构成周边电路的第1TFT和配置在各像素的第2TFT，第1TFT是顶栅或双栅TFT，第2TFT是底栅TFT，具有：岛状绝缘体层，其以在从基板的法线方向观看时与第2下部栅极电极的至少一部分重叠的方式配置在第2氧化物半导体层的一部分上；上部绝缘层，其配置在第2氧化物半导体层和岛状绝缘体层之上；以及源极电极，其配置在上部绝缘层上，第2氧化物半导体层中的与岛状绝缘体层不重叠的部分为电阻率比与岛状绝缘体层重叠的部分低的低电阻区域，在源极总线与栅极总线的交叉部中，下部绝缘层和上部绝缘层位

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110931508 A (43)申请公布日 2020.03.27 (21)申请号 20191

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >