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- 2023-10-21 发布于四川
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本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。用于Micro‑LED的外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括势阱层和势垒层，所述势阱层包括依次层叠的AlInN层、InN层和InGaN层；其中，所述AlInN层表面设有多个经H2刻蚀处理得到的纳米孔洞。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高发光波长均匀性，减小发光波长偏移。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116914052 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202310864970.5 H01L 33/18 (2010.01)
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