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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于投影光学引擎的Micro‑QLED芯片及其制备方法、投影光学引擎，旨在替代昂贵的Micro‑LED芯片，并解决铅基量子点材料容易污染环境的问题。方案主要包括：一种用于投影光学引擎的Micro‑QLED芯片及其制备方法、一种投影光学引擎。Micro‑QLED芯片由下往上依次包括：附有透明电极的基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和附有金属电极的TFT驱动电路板；所述量子点发光层采用非铅铜基混合卤素钙钛矿量子点材料制成；投影光学引擎包括三色M
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116916712 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202311021448.7 H10K 59/127 (2023.01)
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