低维氧化锌体系的p型掺杂和外场调控的理论研究的中期报告.docxVIP

低维氧化锌体系的p型掺杂和外场调控的理论研究的中期报告 首先，我想介绍一下低维氧化锌体系的背景和研究意义。氧化锌是一种广泛应用于光电子学和半导体领域的半导体材料。在低维氧化锌体系中，由于其结构的特殊性质，比如量子限制和表面效应等，可以产生一些独特的物理和化学特性，因此受到了广泛关注。其中p型掺杂和外场调控是两个热点问题，涉及到氧化锌材料的性能优化和应用拓展。因此，我们选择对这两个问题进行理论探究。 目前，我们已经完成了相关背景文献的阅读和理论计算的模拟。在p型掺杂方面，我们选取了硼和铝两种元素作为杂质，并通过计算得到了不同掺杂浓度下的载流子浓度和载流子迁移率等物理参数。结果表明，随着掺杂浓度的增加，载流子浓度呈现先增加后下降的趋势。同时，铝和硼的掺杂效果存在差异，铝能够显著提高载流子浓度和迁移率，而硼的影响则相对较小。 在外场调控方面，我们选取了电场和光场两种外场，分别对氧化锌纳米线和氧化锌薄膜的光学和电学性质进行模拟。结果表明，电场和光场可以显著改变载流子的运动和激发态的分布。特别是对于氧化锌纳米线，由于其受到量子限制的影响，电场和光场的作用更加显著，可以有效地改变其光学和电学性质。 综上所述，我们的中期研究成果表明低维氧化锌体系的p型掺杂和外场调控具有相当的研究价值和应用前景。未来，我们将进一步深化研究，提高模拟精度，并利用实验验证模拟结果。