模拟电子技术基础_知识点总结课案.docx

第一章 半导体二极管 本征半导体 单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅Si 和锗Ge。 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的3 价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的5 价元素（多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 PN 结 在具有完整晶格的P 型和N 型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN