高压器件封装用有机硅凝胶内气泡对其正极性方波电压下放电特性的影响.pdfVIP

2023 年 8 月 电 工 技 术 学 报 Vol.38 No. 15 第 38 卷第 15 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Aug. 2023 DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.221798 高压器件封装用有机硅凝胶内气泡对其 正极性方波电压下放电特性的影响 李学宝 刘相辰 刘思佳 赵志斌 崔 翔 （新能源电力系统全国重点实验室（华北电力大学） 北京 102206 ） 摘要 有机硅凝胶内气泡缺陷是高压 IGBT 器件封装的绝缘薄弱环节。该文针对有机硅凝胶 内气泡缺陷对放电特性的影响，制备了指定位置含有气泡的有机硅凝胶实验样品，提出了有机硅 凝胶内部气泡含量的量化方法，面向器件运行条件下所承受的正极性重复方波电压工况，建立了 基于局部放电电流脉冲测量方法的有机硅凝胶局部放电特性实验平台，提出了方波电压下放电电 流脉冲的准确测量与提取的方法，通过实验获得了有机硅凝胶内气泡含量对局部放电分布特性及 电流脉冲波形参数的影响规律，并给出了气泡对有机硅凝胶局部放电特性的影响机理的定性解释。 结果表明：正极性重复方波电压下，有机硅凝胶的局部放电起始电压与熄灭电压均随气泡含量的 增加而显著下降，反向放电比例随气泡含量的增加而增加，脉冲上升时间、下降时间随气泡含量 的增加而减小。该文成果可为IGBT 器件有机硅凝胶灌封工艺的改进提供指导，并为有机硅凝胶 气泡含量检测奠定基础。 关键词：IGBT 器件绝缘 有机硅凝胶 气泡 正极性重复方波电压 局部放电 中图分类号：TM211 0 引言 法[10,13] 。然而由于器件内部结构非常复杂，脱气时 仍可能无法将气泡完全脱除[14-15] 。因此，为了指导 高压大功率绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate 器件灌封工艺和检测灌封质量，有必要研究气泡对 Bipolar Transistor, IGBT ）因其优异的开关速度、导 灌封用有机硅凝胶绝缘特性的影响。 通特性以及较小的驱动功率，已成为智能电网与轨 道交通等领域的核心器件[1-5] 。随着碳化硅技术的发 自 2000 年以来，国内外学者针对气泡对有机 硅凝胶在交流电压下放电特性的影响已开展了一 展，高压 IGBT 器件的电压等级已从硅基器件的 6.5 kV[6]大幅提高至 27 kV[7] ，这对器件内部封装绝 些研究。2000 年，T. Ebke 等研究了交流电压下气 泡对有机硅凝胶放电的影响，发现气泡会显著降 缘的可靠性提出了更高的要求。 低有机硅凝胶的绝缘性能，局部放电首先发生在 有机硅凝胶因其良好的绝缘性能与较低的弹性 模量，广泛应用于高压 IGBT 器件的灌封[8] 。在灌封 气泡内[16] 。2008 年，G. Finis 等研究了交流电压下 脱气过程对有机硅凝胶击穿电压的影响，发现与 器件时一般需要将两种组分的有机硅凝胶充分搅拌 混合，再灌入器件内部[9-10] 。由于器件内部结构复 脱气样品相比，未经真空处理的样品的击穿电压 降低了 30% 以上[17] 。2020 年，M. Borghei 等通过 杂，灌封过程中难免会向有机硅凝胶中引入气泡。