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一种高温微熔压力传感器芯体及其制备方法，属于压力测量技术领域，包括弹性体基座、SOI硅应变计，所述弹性体基座上设有若干层介质层，若干层介质层上方设有SOI硅应变计，SOI硅应变计设置于弹性体基座的应变区上方，且每层介质层的热膨胀系数从接近弹性体基座的一侧向接近SOI硅应变计的一侧方向呈逐层阶梯递减。本发明采用具有梯度分布的若干层介质层将SOI硅应变计粘接到弹性膜片上，缓解硅与不锈钢之间因为热失配产生的热应力和温漂问题；将位于应变区的硅应变计上的焊盘延伸至位于非应变区的弹性膜片周边固支上的焊盘上，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116929610 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310909881.8
(22)申请日 2023.07.24
(71)申请人 中航光电华亿（沈阳）电子科技有限
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