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本发明提供一种剥离方法，先在基底一侧的表面依次旋涂至少两层光刻胶，分别对至少两层光刻胶进行软烘、冷却、曝光、烘烤、冷却、显影、硬烘后显现光刻胶图形，在制备目标材料层后去除剩余的光刻胶同时剥离位于所述光刻胶远离所述衬底一侧的所述目标材料层；其中通过控制至少两层光刻胶的感光正负性相同来实现降低成本，提高分辨率的剥离方法；进一步通过控制相邻层光刻胶的感光度差异实现对小线宽结构的剥离；尤其通过控制相邻层光刻胶分辨率，或经过显影后的相邻层光刻胶图形变化差来实现低成本高分辨率结构稳定的小线宽周期性结构的剥离
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116931390 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202210331945.6
(22)申请日 2022.03.30
(71)申请人 苏州能讯高能半导体有限公司
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