SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件.pdf

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本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件，属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件，由于两个相对设置的L型ONO层共用位线，且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端，因此该SONOS存储器件可以使用源端热载流子注入进行写入，相对于相关技术中提供的SONOS存储器件采用FN隧穿方式进行写入具有更低的操作电压，从而提高了器件的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111403402 A (43)申请公布日 2020.07.10 (21)申请号 20201