原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次制备第一限制层、第一波导层、量子阱有源层和第二波导层；在第二波导层背离量子阱有源层的一侧依次制备多层子限制层，多层子限制层构成第二限制层；其中，子限制层为p型掺杂层，沿多层子限制层层叠的方向，位于中间的子限制层的掺杂浓度大于位于两侧的子限制层的掺杂浓度；在第二限制层背离第二波导层的一侧制备接触层。本发明中，对第二限制层的生长工艺进行优化，既可保证掺杂离子在第二限制层中的有效激活，满足第二限制层低电阻率的要求，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116937331 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311189899.1
(22)申请日 2023.09.15
(71)申请人 材料科学姑苏实验室
地址 215
文档评论（0）