一种LED芯片制备方法、LED芯片.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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一种LED芯片制备方法、LED芯片.pdf

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本发明提供一LED芯片制备方法、LED芯片，提供一包含电流阻挡层的半成品芯片，利用电子束蒸镀方式在电流阻挡层上制备ITO膜层，将半成品芯片浸入酸性溶液中，以使酸性溶液透过ITO膜层对电流阻挡层进行侵蚀，采用电子束蒸镀的方式制备ITO膜层的方式，此方式制备的ITO膜层相较磁控溅射获取的膜层在未退火之前更加疏松，正因为ITO膜层在未退火之前致密性较差，因此可依靠未退火ITO膜层疏松特性，在电流阻挡层上方镀ITO膜层，使其浸泡在HF溶液中，通过疏松膜层的扩散作用，HF酸渗透ITO膜层刻蚀底部电流阻挡层

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116936694 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202310915470.X (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 3