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本发明提供一种MicroLED芯片测试方法及装置，方法包括提供一基板，在基板上制备两通孔，并在基板上沉积导电金属层；刻蚀导电金属层，以在基板上形成电极总线；在基板上涂覆绝缘保护层，并在绝缘保护层上开设若干测试孔，以漏出预设位置的电极总线；在测试孔上沉积测试电极，使测试电极与待测芯片电极一一对应并贴合；采用激光照射待测芯片，得到待测芯片的发光信息，并通过测试电极测量待测芯片的电压信号及电流信号；将测试电极的阴极和阳极分别汇总到阴极总线、阳极总线，并将阴极总线与阳极总线接入测试信号源，以测试电压信
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116930720 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311025256.3
(22)申请日 2023.08.15
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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