一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法.pdf

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本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体浪涌保护器件结构及其制备方法，半导体浪涌保护器件结构，包括：三极管和电容二极管，三极管的发射极与电容二极管的阳极连接，三极管的集电极与电容二极管的阴极连接；电容二极管的电容小于三极管的电容。本申请通过将半导体浪涌保护器件结构设计为由三极管和电容二极管并联构成，使得半导体浪涌保护器件结构同时具有三极管的优良的瞬态功率，和相较于电容二极管更小的超低的寄生结电容，解决了半导体浪涌保护器件结构的结电容与瞬态功率无法兼容的问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116936571 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202310921905.1 (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人江苏铨力微电子有限公司地址 2