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本发明涉及一种超薄芯片及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面沉积金属薄膜，得到超薄芯片，其中，所述金属薄膜与所述硅衬底之间的应力为α，所述功能层与所述硅衬底之间的应力β，α的取值范围为10MPa‑1000MPa，β的取值范围为负1000MPa‑负10MPa，且|α|与|β|的差的绝对值小于或等于1MPa；该制备方法能够降低超薄芯片的翘曲曲率，提高超薄芯片的封装良率和可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936338 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202210322576.4
(22)申请日 2022.03.29
(71)申请人 浙江清华柔性电子技术研究院
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