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本发明公开了一种高密度扇出型封装结构及封装方法，该方法包括如下步骤：取一载片，在该载片上的表面形成抗反射层；在抗反射层上交替制备形成多层金属重布线层和钝化层；在金属重布线层上连接功能芯片，在重构晶圆结构的有效区的空白区域以及重构晶圆结构的无效区贴装假芯片；对芯片进行塑封，形成塑封体；对塑封体进行减薄处理，以露出芯片；对应切割道位置，在塑封体上形成沟槽，以释放塑封体的应力；去除载片和抗反射层，以使金属重布线层暴露；在暴露的金属重布线层上形成金属导电结构。该方法通过降低塑封体内应力与提升重构晶圆硅占
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936378 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310950503.4
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 华天科技（江苏）
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