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本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管从下至上依次包括：衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，第一缓冲层为AlON层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第二缓冲层为第二AlGaN层，第三缓冲层为第三AlGaN层和第四AlGaN层交替生长形成的周期性结构，第四缓冲层为第五AlGaN层和InGaN层交替生长形成的周期性结构。所述第一缓冲层至第四缓冲层可以缓解衬底与外延层的晶格失配、热失配，缓解应力，改善发光二极管的晶体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936698 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310958120.1
(22)申请日 2023.08.01
(71)申请人 厦门士兰明镓化合
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