【DOC】CMOS门电路组成的多谐振荡器结构和原理.docxVIP

CMOS 门电路组成的多谐振荡器结构和原理 一种由CMOS 门电路组成的多谐振荡器如图 1 所示。其原理图和工作波形分别如图 2(a)、(b) 所示。图(a)中D 、D D 、D 均为保护二极管。 1 2、 3 4 CMOS 门电路组成的多谐振荡器结构 图 1 由 CMOS 门电路组成的多谐振荡器CMOS 门电路组成的多谐振荡器原理 为了讨论方便，在电路分析中，假定门电路的电压传输特性曲线为理想化的折线，即开 门电平(V ) 和关门电平(V )相等，这个理想化的开门电平或关门电平称为门坎电平(或阈 ON OFF 值电平)，记为V 且设V =V /2。 th th DD 第一暂稳态及电路自动翻转的过程 假定在t=0 时接通电源，电容C 尚未充电，电路初始状态为 v =V ， O1 OH v =v =V 状态，即第一暂稳态。此时，电源V 经 G 的 T 管、R 和G 的 T  管给电容C 充电， 1 O2 OL DD 1 P 2 N v如图 10.1.2(a)所示。随着充电时间的增加， v 1 的值不断上升，当 v1 v 达到V th 时，电路发生 下述正反馈过程: 这一正反馈过程瞬间完成，使 v =V v =V ，电路进入第二暂稳态。 O1 OL O2 OH 多谐振荡器原理图 （b)多谐振荡器波形图图 2 多谐振荡器原理图和波形(2)第二暂稳态及电路自动翻转的过程 电路进入第二暂稳态瞬间，v 由 0V 上跳至V ，由于电容两端电压不断突变，则 v 也将上 02 DD 1 跳 V ，本应升至V +V ，但由于保护二极管的钳位作用，v 仅上跳至V +△V 。随后，电容 DD DD th 1 DD + C 通过G 的 T 、电阻R 和G 的 T 放电，使 v 下降，当 v 降至V 后，电路又产生如下正反 2 P 馈过程： 1 N 1 1 th 从而使电路又回到第一暂稳态， v  =V ，v =V 。此后，电路重复上述过程，周而复始 O1 OH O2 OL 的从一个暂稳态翻转到另一个暂稳态，在G 的输出端得到方波。 2 由上述分析不难看出，多谐振荡器的两个暂稳态的转换过程是通过电容C 充、放电作用来实现的