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本发明公开了一种提升SiCMOSFET器件崩溃电压的方法,属于半导体技术领域,包括:将多个MOSFET管并联,将SiCMOSFET器件的沟道区域由现有垂直的排列结构,重新设计成垂直和水平结构共存;将所述MOSFET管的栅极设计为方形矩阵列式。该方法提升MOSFET器件沟道的面积,增加器件栅极开关可控的沟道面积再并联多个MOSFET,进而提升整体并联后的等校晶体管的崩溃电压,该方法形成的SiCMOSFET器件有别于一般传统硅基MOSFET,碳化硅基MOSFET器件单位面积的功率密度更高,适用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936360 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310910585.X H01L 29/16 (2006.01)
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