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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底基板。第一薄膜晶体管被布置在基底基板上。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、布置在第一绝缘层下方的第一半导体图案和布置在第一绝缘层上且第二绝缘层下方的第一控制电极。第二薄膜晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、布置在第二绝缘层上的第二半导体图案和布置在绝缘图案上的第二控制电极，绝缘图案被形成在第二半导体图案上并且暴露第二半导体图案的一部分。第一半导体图案包括晶体半导体。第二半导体图案包括氧化物半导体。第一半导体图案、第一控制电极

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108428718 A (43)申请公布日 2018.08.21 (21)申请号 20181

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