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本发明提供了一种高纯度大尺寸镁单晶的生长装置及方法，涉及单晶生长技术领域。本发明提供的镁单晶生长装置包括加热炉、置料管、控流滤杂板和坩埚，加热炉包括界定密封炉腔的炉体和加热室的炉管，炉体内沿炉管设温度调控系统，炉体上设气氛调控系统和水冷循环系统；坩埚和置料管置于炉管中，控流滤杂板设在坩埚内壁和置料管内壁交界处。该镁单晶生长装置可以使多晶镁原料在熔化区受热熔化为熔融液体，以熔滴的形式滴落在坩埚中形核、结晶并沿着稳定的液相薄层生长。该镁单晶生长方法通过对关键过程进行针对性控制，解决了现有技术中生长高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116949553 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202310506625.4
(22)申请日 2023.05.06
(71)申请人 西安交通大学
地址 710000
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