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本发明公开了一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法,属于介电薄膜材料技术领域。本发明纳米叠层介电薄膜其结构包括自下而上设置的硅基底、底电极保护层和过渡金属硫族化合物纳米叠层以及顶电极,硅基底与底电极保护层之间设置有底电极,过渡金属硫族化合物纳米叠层设置在底电极保护层的上方,过渡金属硫族化合物纳米叠层与顶电极之间设置有顶电极保护层;该过渡金属硫族化合物纳米叠层由两种或者三种过渡金属硫族化合物堆叠而成;顶电极保护层和底电极保护层的材料均采用硅铝混合物薄膜,过渡金属硫族化合物纳米叠层材料采用原子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116960166 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202311181156.X
(22)申请日 2023.09.14
(71)申请人 泉州师范学院
地址 362000
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