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铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质.pdf

    本发明公开了一种铟柱制备装置、制备方法、系统、电子设备及存储介质，其中，铟柱制备装置的加热组件、工件台和深冷盘管设于腔体内；工件台与第一制冷模块连接；深冷盘管与第二制冷模块连接；腔体底部用于放置铟源材料；加热组件用于加热铟源材料；工件台用于放置镀有铟柱下金属的焦平面芯片；第一制冷模块用于将工件台降温至第一温度；第二制冷模块用于将深冷盘管降温至第二温度，以使深冷盘管吸附水汽。本发明分别通过第一制冷模块、第二制冷模块使深冷盘管的温度小于露点温度，工件台上放置的焦平面芯片的温度大于露点温度，深冷盘管吸

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116949413 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202310256799.X (22)申请日 2023.03.16 (71)申请人 无锡中科德芯感知科技有限公司 地址

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