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本发明公开了一种N型金刚石横向MOSFET器件及其制备工艺，涉及半导体功率器件技术领域，该器件从上到下包括三层区域，所述的三层区域具体包括以下部分：上层区域的源极金属层、高K栅极绝缘层以及其上方的栅极金属、漏极金属层；中层区域的源极石墨烯层、沟道区和漏极石墨烯层；底层区域的金刚石绝缘衬底。该N型金刚石横向MOSFET器件及其制备工艺，通过将器件的石墨烯层通过催化制造，不需离子注入等手段，减少材料损伤，还与金刚石材料兼容，使得电子迁移率高，电阻小；将器件的栅极绝缘介质采用高K介质二氧化铪，增加栅极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116960187 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202311222593.1
(22)申请日 2023.09.21
(71)申请人 深圳市港祥辉电子
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