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标准 标准 文案 文案 一、填空题 自由电子的能量与波数的关系式为（ E(k) ? h2 k 2 2m0 ），孤立原子中的电子能量（大小为 m q 4 E ??0 n 8? 2 h2 n2 0 的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续） 的能带。 温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小），对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。 玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率 f (E) ? exp( EF ) ? exp( ? E ) 为（ B k T k 0 0T ），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为 E 的 1 f (E) ?  1 ? exp( E ? E F ) — 个 量 子 态 被 电 子 占 据 的 概 率 为 （ C F 0 F V 0（ E ?E ? 2k T 或E ? E ? 2k T C F 0 F V 0 k0T ）， 当 EF 满 足 半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合））、（样品形状和表面状态（表面复合））等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一个重要指标。 Si 属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（100方向）上由布里渊区中心点Г到边界 X 点的（0.85 倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿100方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（6）个这样的等能面。 Ge 属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（111方向）上由布里渊区边界 L 点处，导带极值附近的等能面是（长轴沿111方向的旋转椭球面），在简约布里渊 区，共有（4）个这样的等能面。 GaAs 属于（直接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区中心点Г处，极值附近的等能面是（球面），在简约布里渊区，共有（1）个这样的等能面。在布里渊区的（111方向）边界 L 点处，存在高于能谷值 0.29eV 的次低能谷，简约布里渊区一共有（8）个这样的能谷。 Si、Ge 和 GaAs 能带结构的共同点：1)禁带宽度具有负温度系数 2)价带顶位于布里渊区中心，k=0 处，等能面不是球面，有轻重空穴之分。 有效质量是（半导体部势场）作用的概括。由于晶体部的各向异性，在 k 空间的三个主 轴上，有效质量可以表示为（ 1 ? 1 ?2 E 、 1 ? 1 ?2 E 、 1 ? 1 ?2 E ，一般情况 m* h2 x ?k 2 x m* h2 y ?k 2 y m* h2 z ?k 2 z 下，m* ，m * ?2 E ，m* 是不等的）。在能带底部， 为(正)值，即m* (? ?2 E 0)；在能带顶部， 0) x y z ?k 2 n ?k 2 为(负)值，即m* (? 0) 。在 E ~ k 关系的拐点处，（ m* ? ? ），说明此处电子（不受外电场 n n 作用，电子从外场获得的能量，全部释放给晶格）。层电子形成的能带（窄）， E ~ k 曲线曲 率（小）， ?2 E ?2 E （小），所以m* （大）。外层电子能带（宽）， （大），所以m* （小）， ?k 2 n ?k 2 n 共有化运动强，在外力作用下，可以获得更大的加速度。 一种晶体中导带底电子能量E 与波矢K 的关系为 E ? E c h2k 2 2 A 错误!未找到引用源。， 其中 Ec 为导带底能量，A 是常数，则电子的有效质量：（ m? n ? h2 ? A ）。 ( d 2 E ) dk 2 E ? 一维晶体中电子能量E 与波矢K 的关系为 h2 (k ? k )2 0 B  错误!未找到引用源。，其中k0 和 B 是常数，则电子速度：（ v ? 1 dE ? 2h ）。 h dk B 半导体的陷阱中心使其中心光电导灵敏度（提高），并使其光电导衰减规律（延长衰减时间）。 F F当系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统（每增加一个电子）所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。费米能级标志了（电子填 充能级）的水平。它主要受（掺杂浓度）、（掺杂种类）和（温度）的影响。在绝对零度时， E ? E 的能级（没有）电子占据；而 E ? E F F F F高，电子占据 E ? E 的能级概率（增大），空穴占据 E ? E 的能级概率（增大） F F 二、选择题 施主杂质电离后向半导体导带提供（ B ），受主杂质电离后向半导体价带提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ AB）。A. 空穴 B. 电子 室温下，半导体 Si 掺硼的浓度为 1014cm-3，费米能级（B）；继续