半导体物理与器件习题.docx

第一章 固体晶格结构 如图是金刚石结构晶胞，若a 是其晶格常数，则其原子密度是 。 所有晶体都有的一类缺陷是：原子的热振动，另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。 半导体的电阻率为 10-3～109Ωcm。 什么是晶体？晶体主要分几类？ 什么是掺杂？常用的掺杂方法有哪些？ 答：为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。常用的掺杂方法有扩散和离子注入。6．什么是替位杂质？什么是填隙杂质？ 7．什么是晶格？什么是原胞、晶胞？ 第二章 量子力学初步1．量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。 什么是概率密度函数？ 描述原子中的电子的四个量子数是： 、 、 、 。 第三章 固体量子理论初步 能带的基本概念 能带（energy band）包括允带和禁带。 允带（allowed band）：允许电子能量存在的能量范围。 禁带（forbidden band）：不允许电子存在的能量范围。 允带又分为空带、满带、导带、价带。 空带（empty band）：不被电子占据的允带。 满带（filled band）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。 导带：有电子能够参与导电的能带，但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。价带:由价电子形成的能带，但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。 什么是漂移电流？ 漂移电流：漂移是指电子在电场的作用下的定向运动，电子的定向运动所产生的电流。3．什么是电子的有效质量？ 晶格中运动的电子，在外力和内力作用下有： Ｆ ＝Ｆ ＋Ｆ =ma, m 是粒子静止的质量。 总 外 内 Ｆ外=m* a, m* 称为电子的有效质量。 n n 位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶电子，其有效质量为负。 在室温 T=300K， Si 的禁带宽度：Eg=1.12eV Ge 的禁带宽度：Eg=0.67eV GaAs 的禁带宽度：Eg=1.43eV Eg 具有负温度系数，即T 越大，Eg 越小； Eg 反应了，在相同温度下，Eg 越大，电子跃迁到导带的能力越弱。6．在热平衡状态下，晶体中的电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定 的，电子遵循费米统计律，电子的费米分布函数是： 1 f (E) ?  1 ? exp( E ? E F ) 费米能级E 和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含k 量T有关。处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。 F 0 因此，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本没有被电子占据，而能量小于费米能级的量子态基本上为电子所占据；而电子占据费米能级的几率在各种温度下总是１/2. 费米能级标志了电子填充能级的水平，比E 高的量子态，基本为空，而比E 底的量子态基本上全被电子所占满.这样费米能级 E 就成为量子 F F F 态是否被电子占据的分界线： 能量高于费米能级的量子态基本是空的； 能量低于费米能级的量子态基本是满的； 1 能量等于费米能级的量子态被电子占据的几率是50%。 4）费米能级越高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子. 什么是非简并半导体？什么是简并半导体？ 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体； 而将服从费米统计分布规律的半导体称为简并半导体。 什么是空穴，空穴是怎样形成的？ 当一个价电子跃入导带后，就会留下一个带正电的“空状态”； 价电子在空状态中的移动等价为那些带正电的空状态的自身运动；带正电的空状态移动可以看成一个正电荷在价带中运动；这种可以形成电流的正电荷载流子———空穴。 什么是直接带隙半导体？什么是间接带隙半导体？ 锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 在某半导体掺入硼的浓度为 1014cm-3, 磷为 1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体。A.本征 B.n 型 C.p 型 D.不确定 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ）。A.变化量 B.常数 C.受主杂质浓度 D.施主杂质类型 在一定温度下，对一非简并n 型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E 。 i A．E c B.E v C.E F D.Ec-E F  第四章 平衡半导体 （本章重点学习本征半导本、费米能级、载流子的分布等相半概念结论。） 1.什么是本征半导体？ 答：征半导体是指纯净的没有杂质原子和缺陷的纯净晶体。2．本征半导体是指（ A ）的半导体。 不含杂质和晶格缺陷 B. 电阻率最高 C. 电子密度和空穴密度相等 D. 电子密度与本征载流子密度相等3．