磁控溅射法制备氮掺杂二氧化锡薄膜及其性能评价的中期报告.docxVIP

磁控溅射法制备氮掺杂二氧化锡薄膜及其性能评价的中期报告 本研究采用磁控溅射法制备了氮掺杂二氧化锡薄膜，并进行了性能评价。以下是中期报告的主要内容。 一、实验方法 1.1 实验材料 本实验所使用的材料有：SnO2目标片、氮气、氧气、纯净水、玻璃基片等。 1.2 实验步骤 首先，在真空室中将SnO2目标装入靶架中。然后，在室内充入氮气和氧气，压力分别为0.05 Pa和0.1 Pa。接下来，加热靶架并启动磁控溅射器，使SnO2目标释放出离子。离子在溅射过程中与氮气和氧气反应，从而形成了氮掺杂二氧化锡薄膜。制备完成后，将其取出真空室，用纯净水冲洗干净并晾干。 二、结果分析 2.1 表面形貌分析 我们采用扫描电子显微镜（SEM）对样品表面进行了观察。结果表明，氮掺杂二氧化锡薄膜表面平整光滑，无明显的裂纹和颗粒。这说明磁控溅射法制备的氮掺杂二氧化锡薄膜具有良好的表面质量。 2.2 光学性能分析 我们采用紫外可见吸收光谱（UV-Vis）对样品进行了测试。结果显示，氮掺杂二氧化锡薄膜的吸收峰位于400 nm附近，且吸收强度较高。这说明氮掺杂能够增强氧化锡的吸收能力，从而提高了其光学性能。 2.3 电学性能分析 我们采用四探针法对样品的电学性能进行测试。结果显示，氮掺杂二氧化锡薄膜的电阻率约为1.5×10^-3 Ω.cm，远远低于未掺杂的二氧化锡薄膜。这说明氮掺杂能够增强氧化锡的导电能力，从而提高了其电学性能。 三、总结 本研究采用磁控溅射法成功制备了氮掺杂二氧化锡薄膜。经表面形貌、光学性能和电学性能的分析，可以看出该薄膜具有良好的表面质量、较高的吸收能力和导电性能。这为进一步研究氮掺杂二氧化锡的应用提供了基础。