新结构GaN基p-i-n型紫外探测器及其光电特性研究的中期报告.docxVIP

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2023-11-01 发布于上海
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新结构GaN基p-i-n型紫外探测器及其光电特性研究的中期报告.docx

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新结构GaN基p-i-n型紫外探测器及其光电特性研究的中期报告本研究旨在开发一种新型结构，基于氮化镓(GaN)材料的p-i-n型紫外探测器，并研究其光电特性。首先，我们使用分子束外延技术(MBE)在sapphire衬底上生长了GaN薄膜，然后利用光刻和湿法腐蚀技术制备了p-i-n结构。接着，通过对样品进行X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析，确认了GaN薄膜和p-i-n结构的生长和制备质量良好。接下来，我们对制备好的p-i-n结构进行了紫外光电特性测试。测试结果表明，该探测器的光电性能稳定，响应速度非常快，而且在紫外光谱范围内具有较高的探测灵敏度。同时，我们还研究了不同工作电压和温度下该探测器的光电特性。结果显示，该探测器在低工作电压和低温下具有更高的响应能力。最后，我们进行了对比实验，结果表明，该探测器的光电性能明显优于传统紫外光探测器。总之，我们成功地制备了一种新型结构，基于GaN材料的p-i-n型紫外探测器，并对其光电特性进行了深入研究。研究结果表明，该探测器具有优异的光电性能，能够应用于多种领域，例如军事侦察、生物医学和环境监测等。