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2023半导体物理器件期末考试试题全
半导体物理器件原理 期(末试题大纲)
指导教师:陈建萍
一、简答 题 (6 题,每题4 分 )。
■ 代表试卷已出的题目
1、耗尽区:半导体内部净正电荷与净负电荷区域,由于它不存在任
何可动的电荷,为耗尽 区 空(间电荷区的另一种称呼)。
2 、势垒电容:由于耗尽区内的正负电荷在空间上分别而具有的电容
充放电效应,即反偏Fp n 结的电容。
3 、P n 结击穿:在特定的反偏电压下
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