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光掩模坯及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-01 发布于四川
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光掩模坯及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种光掩模坯及其制造方法。本发明的光掩模坯，包括透明基材、至少一个含铬和氮且不含硅的膜(A)、以及至少一个含硅和氧且不含过渡金属的膜(B)，膜(A)和膜(B)彼此接触。在该光掩模坯中，当通过飞行时间二次离子质谱法(TOF‑SIMS)沿膜的厚度方向测量二次离子强度时，在位于膜(A)和膜(B)的界面或其附近且具有源自SiCrO5的二次离子最大强度的位置处，源自Cr2O5的二次离子的强度低于源自SiN的二次离子的强度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108241249 A (43)申请公布日 2018.07.03 (21)申请号 20171

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