在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层.pdf

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本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978782 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310953875.2 (51)Int.Cl .