原创力文档- 2
- 0
- 约2.33万字
- 约 14页
- 2023-11-01 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的AlN缓冲层、复合过渡层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层，所述复合过渡层包括依次层叠的第一空洞层、第一过渡层和第二空洞层；其中，所述第一空洞层为InaAl1‑aN层经热处理制得，所述第一过渡层为BN层，所述第二空洞层为InbB1‑bN层经热处理制得；其中a为0.05~0.15，b为0.05~0.15。实施本发明，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116978997 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202311237182.X
(22)申请日 2023.09.25
(71)申请人 江西兆驰半导体有
文档评论（0）