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本发明提供一种基于有源耗尽机理的功率半导体器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源接触区，第二导电类型漏接触区；槽介质层、栅氧化层、场氧化层、层间介质层；漂移区多晶硅电极、栅多晶硅；通孔，金属电极；连续的槽介质层和漂移区多晶硅电极构成有源介质阵列，通过电场会产生电荷极化，等效可视为引入电荷，这种极化是电场驱动的，引入的电荷可以随掺杂浓度变化而自适应地进行极化，因此可以极大提升工艺容差，保证器件耐压足
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116978928 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310937070.9
(22)申请日 2023.07.27
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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