发光二极管外延片及其制备方法、LED.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法、LED.pdf

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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层为氮极性ScαYβAlγGa1‑α‑β‑γN层，其中，0.1≤α≤0.9，0≤β≤0.2，0.1≤γ≤0.9。本发明提供的发光二极管外延片能提高量子阱层的空穴浓度，提高器件发光效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978994 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310952858.7 (22)申请日 2023.07.31 (71)申请人江西兆驰半导体有