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- 2023-11-01 发布于四川
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本发明公开了一种沟槽型MOSFET器件及制作方法，该沟槽型MOSFET器件包括源极、栅极、漏极、源极区和衬底，所述漏极与所述源极和所述栅极位于所述源极区的同一侧；所述漏极通过TSV与所述衬底接触。本发明将原位于沟槽型MOSFET器件底部的漏极通过TSV接到源极和栅极的一侧并与衬底接触，在封装时不需要额外的装置将漏极的引脚引出，减小了封装的面积和厚度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116978954 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202311235601.6
(22)申请日 2023.09.25
(71)申请人 深圳天狼芯半导体
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