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铜和银在锗单晶中的电学行为研究的中期报告 本研究的目标是研究铜和银在锗单晶中的电学行为。在本中期报告中，我们总结了目前的实验进展。 首先，我们成功地在锗单晶中实现了铜和银的掺杂。我们使用MOCVD方法，在氢气氛围下进行了掺杂。通过掺杂前后的电学测试，我们确认了成功的掺杂。具体来说，铜和银的掺杂导致了锗单晶的电阻率的显著变化。 其次，我们进行了掺杂后的电学性质测试。我们使用了四探针电阻测试和霍尔效应测试。我们测量了样品在不同温度下的电阻率和霍尔系数。我们将结果与掺杂前的样品进行了比较，并确认了铜和银对锗单晶导电性的影响。 最后，我们进行了电学性质的分析。我们使用了密度泛函理论（DFT）计算来解释我们的实验结果。我们计算了铜和银在锗单晶中的位置和能级，并推断出它们对电学性质的贡献。 总的来说，我们在铜和银在锗单晶中的电学行为方面取得了良好的进展。我们进一步分析铜和银的位置和能级，可以为我们进一步探究它们在锗单晶中的行为提供帮助。在下一步研究中，我们将尝试更详细地理解掺杂对锗单晶电学性质的影响，并探索掺杂浓度和温度对这些性质的影响。