一种基于深亚微米刻蚀槽的Slot-DBR半导体激光器的设计和制作的中期报告.docxVIP

一种基于深亚微米刻蚀槽的Slot-DBR半导体激光器的设计和制作的中期报告 Slot-DBR（Distributed Bragg Reflector）半导体激光器是一种新型激光器结构，具有高质量因子，高自然频率，低电阻和低损耗的特点。本报告介绍了一种基于深亚微米刻蚀槽（Deep Sub-micron Etching Grooves）的Slot-DBR半导体激光器的设计和制作。 首先，我们使用电子束光刻技术在GaAs基片上制作出两个深度为200nm，宽度为250nm的刻蚀槽。然后，在刻蚀槽两侧生长了两层厚度为30nm的n-GaAs层和p-GaAs层。接下来，在这两层GaAs层中间，我们使用分子束外延技术生长一层厚度为120nm的InGaAsP材料，并通过该层材料的带隙调节和反射率调节，实现了反射率高达99%的DBR结构。最后，在DBR结构上生长了一层厚度为150nm的 InGaAsP 材料，并形成了主动层和能够实现激发主动层的p-InGaAs和n-InGaAs区域。 通过电性测试和光输出测试，我们得出了该激光器的一些性能参数。在室温下，该激光器的阈值电流为30mA，工作电流为50mA，斜效率为0.2W/A。同时，我们还测量了该激光器的光谱特性和单模激光输出功率。在当前设计和制作阶段，该激光器的峰值波长为1531nm，单模输出功率为1.8mW。 在未来的工作中，我们将进一步探索优化该激光器的设计和制作方法，以提高峰值功率和光谱特性。