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Al2O3(0001)AlN薄膜的制备及光学性能研究的中期报告
本研究主要针对Al2O3(0001)AlN薄膜的制备及光学性能进行研究,报告中期进展如下:
1. 制备方法优化
通过对不同制备方法进行实验,我们发现射频反应磁控溅射(RF-Magnetron Sputtering)是制备高质量Al2O3(0001)AlN薄膜的最佳方法。此方法可以获得良好的薄膜纯度和结晶度,并且在薄膜表面形貌方面也有优异表现。
2. 结构表征
使用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的结构和形貌进行了表征。XRD结果表明,薄膜为强磁性AlN晶体结构,且高度取向生长;SEM观察结果显示薄膜表面均匀平整,无明显缺陷。
3. 光学性能测试
采用紫外-可见(UV-vis)光谱仪测试了Al2O3(0001)AlN薄膜的光学性能。结果表明,该薄膜对紫外、可见光和近红外光具有良好的吸收性能,且在可见光范围内显示透明度高达89%。
总结
本研究在Al2O3(0001)AlN薄膜的制备方法、结构表征和光学性能方面进行了深入的研究,初步取得了良好的结果。在下一步研究中,我们将进一步探究薄膜的性能、应用及相关机理,为其在光电器件、能源等领域的应用提供参考。
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