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- 2023-11-04 发布于四川
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本发明公开了一种图像传感器结构,自下而上包括:衬底和介质层;所述衬底上设有第一光敏感器件,所述介质层上设有金属互连层和第二光敏感器件,所述第二光敏感器件设于一沟槽中,所述沟槽位于所述第一光敏感器件上方的所述介质层中,所述第二光敏感器件通过所述沟槽耦合所述第一光敏感器件,并通过所述金属互连层引出。本发明能有效提高光吸收的效率,以及满阱容量等传感器性能,并能够大幅度提升对近红外光的吸收效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112133716 A
(43)申请公布日 2020.12.25
(21)申请号 202010856889.9
(22)申请日 2020.08.24
(71)申请人 上海集成电路研发中心有限公司
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