一种硅基MEMS射频滤波器及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-04 发布于四川
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一种硅基MEMS射频滤波器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种硅基MEMS射频滤波器及其制备方法，采用电镀沉积铜的方式对滤波器通孔侧壁进行表面金属化处理，改善了MEMS滤波器通孔侧壁沉积金膜的工序，避免了在通孔侧壁制备种子层使用昂贵的金靶材以及深孔电镀金等非常规工艺流程，采用成熟的、在工业界广泛使用的电镀铜工艺，降低了MEMS滤波器的工艺难度和生产成本，无需专有的工艺线，能在大多数常规的MEMS微纳加工平台生产硅基MEMS射频滤波器。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116996036 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202311026320.X (22)申请日 2023.08.15 (71)申请人成都振芯科技股份有限公司地址