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高铟氮化镓基LED外延片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-04 发布于四川
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高铟氮化镓基LED外延片及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体领域，具体公开一种高铟氮化镓基LED外延片及其制备方法，该外延片包括衬底及设于所述衬底上的外延层，所述外延层包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括周期性交替生长的低温鞋层、高铟InbGa1‑bN量子阱层、低温盖层及复合量子垒层，所述复合量子垒层包括沿外延方向依次沉积的高温GaN层、掺Si的GaN层、Si3N4层、Mg3N2层、掺Mg的GaN层、掺B的GaN层及非故意掺杂GaN层。有效解决现有技术中高铟含量为量子阱带来的高缺陷问题及极化电场问题，提升高铟氮化镓基LED的发光效率

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116995161 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202311254145.X (22)申请日 2023.09.27 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址 3

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