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GaN基太赫兹器件的新结构及材料生长研究 GaN基太赫兹器件的新结构及材料生长研究 随着现代通信技术的不断发展，高频电子器件也得到了更高的要求。太赫兹频段的电磁波能够在纳米尺度下实现高分辨率成像、安全检测以及无线通信等应用，因此，太赫兹技术已经成为了未来通信和信息技术领域的重要发展方向。在太赫兹器件中，GaN基材料由于其良好的电子输运特性和稳定性，逐渐成为了研究的热点。本文将主要介绍GaN基太赫兹器件的新结构设计和材料生长研究。 GaN是氮化镓的化学式，其具有优异的半导体性能，可以用于高频电子器件的制备。在太赫兹频率范围内，GaN材料具有较高的迁移率和较低的电子质量，使