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* 半导体材料 *半导体材料 半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 它是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，其电阻率在104～1010?欧姆·厘米范围内。 半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺?入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。?半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。 *半导体材料 9.1 半导体材料的分类 1.元素半导体 它大约有十几种处于ⅢA－ⅦA族的金属与非金属的交界处，如Ge（锗）,Si（硅）,Se（硒）,Te（碲）等。 2.化合物半导体 1）二元化合物半导体 A IIIA族和ⅤA族元素组成的化合物半导体。即Al(铝)、Ga（镓）、In（铟）和P（磷）、As（砷）、Sb（锑）组成的9种化合物半导体，如AsP , AlAs , GaP等。 B ⅡB族和ⅥA族化合物半导体，即Zn,Hg,Cd和O,S,Se,Te组成的12种化合物半导体，如CdS ,CdTe等。 C ⅣA族元素之间组成的化合物半导体，如SiC等。 D ⅣA与ⅥA族化合物半导体，如GeS,GeSe,SnTe等共9种。 E ⅤA和ⅥA族元素组成的化合物半导体，如AsSe3，AsS3等。 *半导体材料 2) 多元化合物半导体 A. ⅠB-ⅢA－（ⅥA）2组成的多元化合物半导体，如AgGeTe2等。 B. ⅠB-ⅤA—（ⅥA）2组成的多元化合物半导体，如AgAsSe2等。 C. （ⅠB）2－ⅡB－ⅣA－（ⅥA）4组成的多元化合物半导体，如Cu2CdSnTe4等。 *半导体材料 3. 固溶体半导体 固溶体是由二个或多个晶格结构类似的元素、化合物互溶而成。又有二元系和三元系之分，如ⅣA－ⅣA组成的Ge－Si固溶体;ⅤA－ⅤA组成的Bi－Sb固溶体。 由三种组元互溶的固溶体有：（ⅢA－ⅤA）－（ⅢA－ⅤA）组成的三元化合物固溶体，如GaAs－GaP组成的镓砷磷固溶体和（ⅡB－ⅥA）（ⅡB－ⅥA）组成的，如HgTe－CdTe两个二元化合物组成的连续固溶体碲镉汞等。 *半导体材料 4. 非晶态半导体 原子排列短程有序、长程无序的半导体称为非晶态半导体，主要有非晶Si、非晶Ge、非晶Te、非晶Se等元素半导体及GeTe，As2Te3，Se2As3等非晶化合物半导体。 5. 有机半导体 有机半导体分为有机分子晶体、有机分子络合物和高分子聚合物，一般指具有半导体性质的碳－碳双键有机化合物。 *半导体材料 9.2 　半导体材料的结构与键合　　　　一、金刚石结构 　　　金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格。元素半导体材料Sｉ、Ge、Sn（灰锡）都具有金刚石结构。　　　　　　　　　　　　　　图9－l金刚石结构（立方晶胞图）　　　相关连的原子共有18个。此结构的一个重要特点是每个原于有４个最近邻，它们处在一个正四面体的顶角位置。 *半导体材料　　二、闪锌矿和纤锌矿结构 　　１．闪锌矿结构（立方ZnS结构） 　下图给出其立方晶胞图，它是由两种不同元素的原子分别组成面心晶格套构而成，套构的相对位置与金刚石结构相对位置相同。闪锌矿结构也具有四面体结构，每个原子有4个异类原子为最近邻、后者位于四面体的顶点，具有立方对称性。　　　　　　　　　　 图9－2　闪锌矿型结构 　　　 *半导体材料　　 许多重要的化合物半导体如III一V族化合物 GaAs， InSb， GaP， InAs， BSb，AlSb，GaSb等，II －VI族比合物CdTe，ZnSe，HgSe，HgTe等和 IV －IV族 SiC，都为闪锌矿结构。　　由图9－l和图9－2对比可以看出，闪锌矿结构除去由两类不同原子占据着晶格的交替位置外，与金刚石结构是完全相同的。两种不同原子之间的化学键主要是共价键，同时又具有离子键成分即混合键。因此闪锌矿结构在半导体特性及电学、光学性质上除与金刚石结构有许多相同处外又有许多不同之处。 　 *半导体材料　　　闪锌矿结构中的离子键成分，使电子不完全公有，电子有转移，即“极化现象”。这与两种原子的电负性之差△X＝XA － XＢ有关，两者之差愈大，离子键成分愈大，导致极化愈大。表７－１为电负性与离子键比例