CdZnTe基HgCdTe分子束外延工艺研究的中期报告.docxVIP

CdZnTe基HgCdTe分子束外延工艺研究的中期报告 本中期报告介绍了CdZnTe基HgCdTe分子束外延工艺研究的最新进展。 首先，我们成功地制备了CdZnTe/HgCdTe异质结构，其中CdZnTe为有源层，HgCdTe为障垒层。我们使用了优化的分子束外延工艺参数，包括衬底温度、成分流量比、外延速率等，在异质结构中获得了高质量的界面和晶体质量。 其次，我们对CdZnTe/HgCdTe异质结构进行了光电特性研究。我们测量了其光电响应谱，并在不同偏压下研究了其电学特性。结果表明，CdZnTe/HgCdTe异质结构具有良好的光电性能和电学特性，适用于红外探测器的制备。 最后，我们探讨了CdZnTe/HgCdTe异质结构在红外探测器中的应用。我们研究了CdZnTe/HgCdTe异质结构与其他材料组成的不同探测器结构，并计算了其探测性能。结果表明，CdZnTe/HgCdTe异质结构可以显著提高红外探测器的探测灵敏度和分辨率。 综上所述，CdZnTe基HgCdTe分子束外延工艺研究取得了良好的进展，具有广泛的应用前景。