硅晶体放电加工电阻特性及穿孔工艺基础研究的中期报告.docxVIP

硅晶体放电加工电阻特性及穿孔工艺基础研究的中期报告 本研究主要针对硅晶体放电加工电阻特性及穿孔工艺进行基础研究。在前期研究的基础上，我们对实验方案进行了优化，并开展了一系列实验。 首先，我们确定了合适的加工参数，包括电压、放电时间等。在不同参数下对硅晶体进行了放电加工，得到了一系列电阻特性曲线。通过曲线分析，我们发现电阻随着放电时间的增加而降低，但在一定程度上会趋于稳定。此外，不同加工参数下的电阻变化规律也不尽相同。 接着，我们开展了穿孔工艺的研究。在不同加工参数下对硅晶体进行穿孔加工，得到了一系列孔径和孔壁质量等方面的数据。通过数据分析，我们发现孔径与加工参数关系密切，孔径随着加工电压和放电时间的增加而增大，但孔壁质量却会随之降低。 最后，我们分别对电阻特性和穿孔工艺进行了分析和讨论。在电阻特性方面，我们认为在实际应用中需要考虑加工参数的稳定性和电阻变化的可控性；在穿孔工艺方面，我们提出了进一步优化加工参数和探究穿孔机理等方面的建议。 总的来说，本研究为深入理解硅晶体放电加工电阻特性及穿孔工艺提供了一定的实验基础，并为实际应用提供了一些参考。